在半導體產(chǎn)業(yè)追求自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的浪潮中，廣州粵升半導體設備有限公司傳來振奮人心的消息——公司自主研發(fā)的 8 英寸碳化硅（SiC）外延設備成功完成研發(fā)并順利交付標桿客戶。這一成果不僅是企業(yè)自身技術(shù)實力發(fā)展的重要里程碑，更標志著中國 SiC 產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵設備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了自主可控，為行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入了強勁動力。

設備外觀及裝車現(xiàn)場

設備性能：多項關(guān)鍵指標達國際先進水平

廣州粵升自研的SiC外延設備所生長的8英寸SiC外延片在多項關(guān)鍵指標上表現(xiàn)亮眼，典型數(shù)據(jù)如下：

l 膜厚與摻雜濃度不均勻性：外延片膜層厚度不均勻性小于0.5%，摻雜濃度不均勻性小于1.2%。

l 表面粗糙度：多點AFM測試結(jié)果顯示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm。

l 表面缺陷：外延片表面缺陷數(shù)量少， 3mm×3mm管芯良率達到99%以上。

膜厚與摻雜濃度不均勻性

表面粗糙度

表面缺陷情況

產(chǎn)業(yè)升級：賦能SiC產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

當前，半導體設備的國產(chǎn)化和自主可控已成為國家戰(zhàn)略的迫切需求。“一代材料，一代器件，一代裝備”，設備作為產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其技術(shù)突破對整個產(chǎn)業(yè)的升級具有決定性意義。廣州粵升8英寸SiC外延設備的成功研發(fā)，精準解決了SiC產(chǎn)業(yè)鏈中關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)痛點，助力我國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

廣州粵升：專注 SiC 產(chǎn)業(yè)設備的創(chuàng)新力量

廣州粵升半導體設備有限公司（官網(wǎng)：www.wdqcw.cn)始終專注于液相法SiC單晶生長設備、氣相法SiC外延設備的研發(fā)和生產(chǎn)。作為半導體行業(yè)的積極參與者，公司深耕 SiC 材料生長裝備，憑借持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，致力于推動半導體行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，為創(chuàng)造美好生活貢獻力量。

公司致力于千方百計滿足用戶的多樣化需求，這也是我們創(chuàng)新的最大動力。此次，8 英寸 SiC 外延設備的出貨，是廣州粵升踐行初心的有力證明，也為中國 SiC 產(chǎn)業(yè)在全球競爭中占據(jù)有利地位奠定了堅實基礎。