2024年11月8日，為期3天的第五屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM 2024)在中國深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重閉幕。
中科匯珠總經(jīng)理、首席技術(shù)官楊軍偉博士受邀出席本次大會并做”液相法3C-SiC襯底同質(zhì)外延的應(yīng)用與研究”的演講報告，旨在闡明液相法技術(shù)的先進性及對應(yīng)市場需求的緊迫性。
演講圍繞液相法3C-SiC襯底同質(zhì)外延展開了相關(guān)材料應(yīng)用和性能研究的介紹。報告提到，液相法碳化硅單晶生長技術(shù)是一項革新的技術(shù)。其與傳統(tǒng)PVT法相比，具有低制造成本、低晶體缺陷密度、低應(yīng)力以及可生長多元化材料等優(yōu)點。目前，通過液相法生長已獲得高質(zhì)量3C-SiC單晶材料，其可以解決現(xiàn)階段4H-SiC MOSFET溝道遷移率低、柵氧界面態(tài)密度高等瓶頸問題。3C-SiC材料有望大幅提升MOSFET器件的可靠性和穩(wěn)定性，推動SiC器件大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。
楊軍偉博士重點介紹了中科匯珠在基于液相法3C-SiC單晶襯底上的外延工藝開發(fā)以及材料性能驗證成果，表示目前公司已具備生長基于液相法襯底的高質(zhì)量同質(zhì)外延片的技術(shù)能力，且從實驗上證明了3C-SiC的柵氧界面態(tài)密度比4H-SiC至少低一個數(shù)量級。此外，楊軍偉博士對公司的產(chǎn)品也做了介紹，表示公司目前可以為客戶提供多樣化材料需求的產(chǎn)品服務(wù)，其中核心產(chǎn)品之一即為基于液相法襯底的同質(zhì)外延片，包括p型4H-SiC及3C-SiC材料。公司期待與更多的客戶進行深入合作，共同開拓SiC產(chǎn)業(yè)的美好未來。
亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM）自2018年在中國北京舉辦首屆會議以來，已經(jīng)成功舉辦五屆，本屆會議以“芯時代開放創(chuàng)新·芯機遇合作發(fā)展”為主題，旨在聚焦寬禁帶半導(dǎo)體（SiC、GaN、Ga2O3、AlN、金剛石等）相關(guān)材料、器件及前沿應(yīng)用，共同探討寬禁帶半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)成果和最新市場動態(tài)，為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展貢獻智慧與力量，閉幕式現(xiàn)場頒發(fā)了優(yōu)秀海報獎和最佳奉獻獎，中科匯珠有幸榮獲會務(wù)組頒發(fā)的”最佳貢獻獎“。
轉(zhuǎn)載來源：中科匯珠
